acheter 1.5 go de ram + une carte graphique
Dernière réponse : dans Matériel informatique
Ma config:
3700+ O/C 2.8ghz
939 NF6G-VSTA
fortron grennpower 400w
Bonjour, quelle ram(de qualité pour O/C) acheter?
Et quelle carte graphique aussi pour un budjet total de 250€??
Ps:je voudrais 1.5 go de ram
Merci beaucoup
3700+ O/C 2.8ghz
939 NF6G-VSTA
fortron grennpower 400w
Bonjour, quelle ram(de qualité pour O/C) acheter?
Et quelle carte graphique aussi pour un budjet total de 250€??
Ps:je voudrais 1.5 go de ram
Merci beaucoup
Autres pages sur : acheter ram carte graphique
Lassé par la pub ? Créez un compte
l'ideal en carte graphique DX10 v le budget: 8600 GT a 130€ (la 8500 GT est a 90€ )
et pour la RAM: pourquoi tu veux 1.5Go exactement ?
parce que tu as deja 512Mo ?
si c'est le cas, essaie d'avoir les memes barrettes partout
j'imagine que tu as 4 port DIMM et que tu veux 4X512Mo
si c'est le cas, essaie 'avoir 4 fois la meme barrette de 512Mo
et pour la RAM: pourquoi tu veux 1.5Go exactement ?
parce que tu as deja 512Mo ?
si c'est le cas, essaie d'avoir les memes barrettes partout
j'imagine que tu as 4 port DIMM et que tu veux 4X512Mo
si c'est le cas, essaie 'avoir 4 fois la meme barrette de 512Mo
Voila voila
--------[ EVEREST Ultimate Edition ]------------------------------------------------------------------------------------
Version EVEREST v4.00.976/fr
Module de benchmark 2.1.184.0
Site web http://www.lavalys.com/
Type de rapport Rapport rapide
Ordinateur ARSLAN-F61E368A
Générateur Arslan
Système d'exploitation Microsoft Windows XP Home Edition 5.1.2600 (WinXP Retail)
Date 2007-03-07
Heure 06:54
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M3 68L6423HUN-CCC ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L6423HUN-CCC
Numéro de série 061F34C9h (3375636230)
Date de fabrication Semaine 21 / 2007
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/inde...
[ DIMM2: Micron Tech. 16VDDT6464AG-335G5 ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Micron Tech. 16VDDT6464AG-335G5
Numéro de série 3A25A243h (1134699834)
Date de fabrication Semaine 2 / 2005
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Micron Technology, Inc.
Information sur le produit http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM
--------[ EVEREST Ultimate Edition ]------------------------------------------------------------------------------------
Version EVEREST v4.00.976/fr
Module de benchmark 2.1.184.0
Site web http://www.lavalys.com/
Type de rapport Rapport rapide
Ordinateur ARSLAN-F61E368A
Générateur Arslan
Système d'exploitation Microsoft Windows XP Home Edition 5.1.2600 (WinXP Retail)
Date 2007-03-07
Heure 06:54
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M3 68L6423HUN-CCC ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L6423HUN-CCC
Numéro de série 061F34C9h (3375636230)
Date de fabrication Semaine 21 / 2007
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/inde...
[ DIMM2: Micron Tech. 16VDDT6464AG-335G5 ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Micron Tech. 16VDDT6464AG-335G5
Numéro de série 3A25A243h (1134699834)
Date de fabrication Semaine 2 / 2005
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Micron Technology, Inc.
Information sur le produit http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM
Lassé par la pub ? Créez un compte
- Contenus similaires :
Tags :
- ForumCarte graphique nvidia geforce gt540 1 go
- solutionsCarte graphique ou ram hs
- ForumCarte graphique et ram
- ForumCarte graphique ram
- ForumCarte graphique go 7300
- ForumCarte graphique go tout le monde
- ForumMa carte graphique ram
- ForumPartager ram avec carte graphique
- ForumCarte graphique 1 go
- solutionsPhotoshop carte graphique ou ram
- Voir plus